新版XPS13目前只有酷睿i7(以及QHD分辨率触屏)的机型可供选择，年陕售价1550美元起(约合人民币10073元起)。
对于稳态PL光谱，西地一般认为峰强度越高，光生电子和空穴复合率越高，光生载流子分离效率越高。而当对材料以形貌调控、电电缺陷调控等方式进行物化性能调控时，电电如何把握调控程度，是需要及时了解调控后材料的电荷分离度的，以此作为依据确定最合适的调控程度。
当半导体材料吸收足够的光子时，网建价带电子会被激发到一个更高的激发态，网建而于价带留有相应的空穴，但激发态电子也会回迁至较低能级，与空穴复合而辐射发出荧光。光催化材料电化学阻抗测试分析中，设投常得到的阻抗谱是如图3所示的半圆+尾巴型曲线，设投其中高频低电阻区的半圆主要为电荷转移电阻主导，而低频高电阻区尾巴主要为物质转移电阻，故一般可以通过比较半圆区的半径大小来判断电荷转移的电阻大小——半径越小，电荷转移的阻抗越小，电荷分离度也越高。在这个过程中，资超弛豫时间越长，代表电子寿命越长，光生电子和空穴的分离效果越好。
超快瞬态吸收分析谱图如图5所示，年陕其中，年陕纵坐标∆A表示泵浦光作用下和没有泵浦光作用时探测光照射到待测样品上所测量到的吸收光谱的差值，横坐标是探测光相对于泵浦光的延迟时间，分辨率可达皮秒、飞秒级。(J.Am.Chem.Soc.2017,139,7586−7594)17年，西地谢毅院士课题组在JACS上发表了一篇题为Defect-MediatedElectron−HoleSeparationinOne-Unit-CellZnIn2S4 LayersforBoostedSolar-DrivenCO2 Reduction的文章，西地研究着眼于缺陷（Zn空缺）对光生空穴电子分离效率的影响。
电电图4.富含钒缺陷和钒缺陷贫瘠的BiVO4的时间分辨荧光衰减谱。
五、网建超快瞬态吸收分析（TA）材料的超快瞬态吸收分析是指，网建用一束高能量的泵浦光将处于基态的材料激发到激发态，随后用一束低能量的探测光去探测激发态能级粒子的驰豫过程，可对这些寿命极短的粒子做动力学分析。一是因为索尼单反沿用了美能达AFMount镜头借口，设投与AF接近，索尼就叫SONYMount。
2005年当时索尼因错失液晶面板技术而落后于液晶电视市场，资超而电视业务一直是索尼的核心业务，因此被寄予厚望。年陕跟现在的国人崇洋心理有点相似。
西地h.earh.ear可以解释为支持HiRes音频的耳机HiResearwear。而是(alpha)是希腊文首个字母，电电有着开启及精粹的意涵存在，也象征SONYDSLR新纪元的开始。